Samsung делает 24-гигабитные чипы памяти DDR5

 
3456
02 августа 2021 в 12:49
Автор: Виталий Олехнович

Компания Samsung сообщила о том, что занимается разработкой микросхем памяти DDR5 емкостью 24 ГБ из восьми 24-гигабитных слоев. Это ответ на запрос клиентов, управляющих облачными центрами данных. Подобные чипы позволят создавать модули памяти емкостью до 768 ГБ для серверов, а также более емкие для домашних PC.

В прошлом году компания уже показывала модуль памяти на 512 ГБ, который состоял из 32 чипов объемом по 16 ГБ. Каждый из них в свою очередь состоял из восьми 16-гигабитных слоев. В нынешней разработке задействован аналогичный принцип, но ведется работа над увеличением емкости слоя до 24 гигабит.

Для обычного потребителя разработка Samsung означает, что в продаже могут появиться модули памяти на 24 и 48 ГБ.

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, напряжение 1.35 В
2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.35 В
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В

Наш канал в Telegram. Присоединяйтесь!

Есть о чем рассказать? Пишите в наш телеграм-бот. Это анонимно и быстро

Автор: Виталий Олехнович