Ученые Московского физико-технического института (МФТИ) разработали революционную технологию создания памяти: устройства на ее базе будут обладать вместительностью винчестера, энергонезависимостью флешки и быстротой оперативной памяти. В основе памяти нового типа — сегнетоэлектрические пленки на основе оксида гафния, сообщает Hi-tech.mail.ru.
Он использовался в создании микросхем и ранее, но сегнетоэлектрические свойства одной из модификаций материала были открыты всего несколько лет назад. Отмечается, что структуры на основе оксида гафния совместимы с кремниевой технологией. Это означает, что новая энергонезависимая память на базе российской разработки будет создана в ближайшем будущем.
Память на основе сегнетоэлектрических туннельных переходов будет обладать крайне высокой скоростью чтения и записи, большой плотностью хранения информации и сниженным энергопотреблением. Кроме того, она сможет заменить используемую сегодня оперативную память.
Читайте также: