Китайская исследовательская группа из Фуданьского университета показала прототип устройства флеш-памяти, которое способно обрабатывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Как сообщает Xinhua, это новый рекорд самого быстрого полупроводникового устройства хранения данных из когда-либо представленных.
Устройство называется PoX, и оно работает быстрее, чем самая быстрая оперативная память DRAM и SRAM, у которых на запись одного бита уходит от 1 до 10 наносекунд. Это примерно 1 Гб за 3,3 секунды. Пикосекунда — это одна тысячная часть наносекунды (или одна триллионная часть секунды).
Для хранения данных этому устройству не требуется питание, поэтому PoX сочетает в себе энергоэффективность обычной флеш-памяти с огромной скоростью записи данных. Как рассказал руководитель проекта Чжоу Пэна, разработать эту технологию помогли ИИ-алгоритмы, которые оптимизировали условия тестирования.
Такая память может быть в будущем использована в системах, где важны скорость и энергонезависимость, например в устройствах, использующих искусственный интеллект.
Есть о чем рассказать? Пишите в наш телеграм-бот. Это анонимно и быстро