Intel пообещала ускорить флеш-память в тысячу раз
Компании Intel и Micron объявили о начале производства нового класса энергонезависимой памяти впервые за последние 25 лет. По словам разработчиков, технология 3D Point обеспечивает в тысячу раз более высокую скорость обмена данными по сравнению со стандартом NAND.
В Intel подчеркнули, что технология 3D XPoint была создана с нуля. Используемая в новой памяти перекрестная архитектура создает трехмерную «шахматную доску», на которой ячейки памяти размещаются на пересечении числовых линий и разрядных линий, что позволяет в независимом порядке выполнять адресацию. В результате данные могут записываться и считываться небольшими размерами, что приводит к более быстрому и эффективному процессу чтения/записи.
Помимо высокой скорости, созданная на основе 3D Point память в тысячу раз долговечнее, чем NAND, и имеет в 10 раз более высокую плотность размещения компонентов.
Преимущества 3D XPoint смогут повысить комфорт пользователей при работе с компьютером. Энергонезависимость технологии также позволяет использовать ее для хранения данных с низкой задержкой — данные не стираются после выключения устройства. Исследователи в области медицины смогут в режиме реального времени обрабатывать и анализировать крупные массивы данных, ускоряя выполнение сложных научных задач, включая анализ генома человека и мониторинг течения заболевания.
3D XPoint имеет крестообразную структуру. Перпендикулярные проводники объединяют 128 млрд ячеек памяти, каждая из которых хранит один бит данных. Это позволяет добиться высокой плотности и скорости работы. Ячейки размещаются в несколько слоев. Пока технология позволяет хранить 128 ГБ на один кристалл для двух слоев памяти. В будущем можно будет увеличивать количество слоев для масштабирования емкости.
Доступ и чтение/запись информации в ячейках памяти осуществляется путем изменения значения напряжения, направляемого на каждый селектор. Это позволяет отказаться от необходимости использования транзисторов.
Пробные поставки продукции на базе 3D XPoint начнутся в этом году. О конечной стоимости такой памяти для потребителей пока говорить рано.
